一种基于GaAs HBT工艺的功率放大器偏置电路.pdfVIP

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2023-04-24 发布于北京
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一种基于GaAs HBT工艺的功率放大器偏置电路.pdf

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本发明公开了一种基于GaAsHBT工艺的功率放大器偏置电路，包括温度补偿单元、标准电流镜偏置单元和多阶温度系数电压单元，所述标准电流镜偏置单元包括复制电路单元和输出电路单元，所述复制电路单元和所述输出电路单元内分别设置有第一HBT管HBT1和第三HBT管HBT3；所述多阶温度系数电压单元设置于所述复制电路单元内。本发明提供的偏置电路将多阶温度系数电压单元设置于标准电流镜偏置单元的复制电路单元内，简化了电路，有利于片上集成，同时改变电流镜结构，利用晶体管的电流放大作用，减小了第一HBT管HBT1

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114024510 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202111244087.3 (22)申请日 2021.10.26 (71)申请人苏州英嘉通半导体有限公司