一种自对准后切SDB FinFET器件的制作方法.pdfVIP

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2023-04-24 发布于北京
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一种自对准后切SDB FinFET器件的制作方法.pdf

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本发明提供一种自对准后切SDBFinFET器件的制作方法，在相邻的两个Fin结构上形成SiGe区，在与该SiGe区相邻的Fin结构上形成SiP区；然后在Fin结构上刻蚀形成SDB沟槽；在SDB沟槽的顶部形成SiN塞以形成顶部密封且中空的SDB沟槽。本发明形成SDB工艺采用金属栅‑硬掩膜‑帽层‑硬掩膜的工艺，无需额外费用，工艺兼容性好。同时SDB蚀刻工艺是自对准的，可以更好地控制工艺变化，在SDB沟槽之后，填充SiN塞以密封SDB沟槽。SDB沟槽是空气填充的，不需要进行热退火，因此退火氧化过程中

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114005790 A (43)申请公布日 2022.02.01 (21)申请号 202010729632.7 (22)申请日 2020.07.27 (71)申请人上海华力集成电路制造有限公司