一种栅极结构及其制造方法、半导体器件、芯片.pdfVIP

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2023-04-24 发布于北京
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一种栅极结构及其制造方法、半导体器件、芯片.pdf

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本公开提供了一种栅极结构及其制造方法、半导体器件、芯片，该方法包括：提供半导体基底，半导体基底上依次形成有栅极绝缘层、第一导电层、诱电层和第二导电层；通过化学气相沉积工艺在第二导电层上形成硅化钨层，化学气相沉积工艺采用的温度的取值区间为400℃‑600℃；对硅化钨层、第二导电层、诱电层、第一导电层和栅极绝缘层刻蚀，形成多个相互间隔的栅极结构。本公开中化学气相沉积工艺的温度在400℃‑600℃之间，相对较低，能使得形成的硅化钨层的表面平整，使硅化钨层表面各处对刻蚀的应力程度相同，避免在硅化钨层的晶

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114005745 A (43)申请公布日 2022.02.01 (21)申请号 202010739645.2 H01L 27/11521 (2017.01) (22)申请日