用于从半导体基板去除光刻胶的剥离组合物.pdfVIP

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2023-04-24 发布于北京
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用于从半导体基板去除光刻胶的剥离组合物.pdf

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本公开涉及组合物，其包括：1)至少一种水溶性极性非质子有机溶剂；2)至少一种氢氧化季铵；3)至少一种羧酸；4)至少一种第II族金属阳离子；5)至少一种选自于由6‑取代‑2,4‑二氨基‑1,3,5‑三嗪所组成的群组的铜腐蚀抑制剂；及6)水，其中，该组合物不含包含至少三个羟基的化合物。该组合物可有效地剥离半导体基板上的正或负调性光刻胶或光刻胶残余物，且对凸块及在下面的金属化材料(诸如，SnAg、CuNiSn、CuCoCu、CoSn、Ni、Cu、Al、W、Sn、Co等)不具腐蚀性。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114008537 A (43)申请公布日 2022.02.01 (21)申请号 202080043573.6 (74)专利代理机构北京博思佳知识产权代理有