一种半导体器件的表面平坦化方法.pdfVIP

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2023-04-24 发布于北京
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一种半导体器件的表面平坦化方法.pdf

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本发明涉及一种半导体器件的表面平坦化方法，包括如下步骤，在硅衬底上沉积氧化层和氮化硅；对打开区域进行氧化形成终端区氧化层；沉积硬掩膜层；进行光刻，然后对硬掩膜层进行刻蚀；使用硬掩膜层充当刻蚀阻挡层，进行有源区沟槽刻蚀；去除沟槽内损伤层，然后生长栅氧氧化层；表面淀积多晶硅，多晶硅填充满所有沟槽；进行CMP研磨，实现晶圆表面平坦化；同步刻蚀氮化硅和氧化层，停留在元胞区氧化层上；将元胞区域沟槽内高于硅平面的多晶硅和氧化层进行刻蚀，停留在与硅衬底表面，实现平坦化；本发明避免终端区的多晶硅残留，不需要引入

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114005748 A (43)申请公布日 2022.02.01 (21)申请号 202111267168.5 (22)申请日 2021.10.28 (71)申请人株洲中车时代半导体有限公司