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本发明公开了一种基于n‑ZnO/PEDOT/HfO2/p‑GaN的紫外激光二极管及制备方法，二极管包括：n‑ZnO纳米棒、p‑GaN薄膜、PEDOT薄膜、HfO2薄膜、PMMA保护层和金属电极；方法包括如下步骤：采用磁控溅射法在p‑GaN薄膜上沉积一定厚度的HfO2薄膜，然后在HfO2薄膜上旋涂PEDOT薄膜，再旋涂分散了ZnO纳米棒的乙醇溶液，加热烘干，旋涂PMMA保护层，至PMMA保护层漫过n‑ZnO纳米棒，加热使PMMA保护层凝固，然后利用氧等离子体刻蚀，将PMMA保护层刻蚀至n‑ZnO纳
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114024212 A
(43)申请公布日 2022.02.08
(21)申请号 202111214135.4
(22)申请日 2021.10.19
(71)申请人 东南大学
地
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