一种提高NOR Flash数据读写可靠性的方法、装置及其应用.pdfVIP

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2023-04-24 发布于北京
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一种提高NOR Flash数据读写可靠性的方法、装置及其应用.pdf

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本发明涉及存储器技术领域，公开了一种提高NORFlash数据读写可靠性的方法、装置及其应用，所述方法包括匹配物理块阵列增设异常指示模块，在对选定的擦除区块依次执行擦除、过擦除修复、弱写入及验证操作时，同步对指示存储单元执行同等操作并继续执行写入和写入验证操作，在NORFlash重新上电时，执行对各异常指示模块的验证操作，并根据验证结构执行相应操作；本发明可以有效解决在执行擦除过程中意外掉电后，重新上电读取数据时由于存在过擦除存储单元而使同一物理块中位线有漏电导致存储单元数据读错的问题，有效提

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114005479 A (43)申请公布日 2022.02.01 (21)申请号 202111303425.6 (22)申请日 2021.11.05 (71)申请人恒烁半导体（合肥）股份有限公司