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一种高分子材料镀膜工艺,包括镀氮氧化硅膜层步骤,在待加工件表面镀氮氧化硅膜层作为后续镀膜层的打底层,镀氮氧化硅膜层步骤包括如下子步骤:A1、向镀膜腔室中通入氩气和氮气的混合气体,氩气:氮气为1:8‑3:1;A2、调整真空度为0.1‑1.33Pa;A3、打开硅靶电源对待加工件进行镀膜,镀膜的膜层厚度为2nm‑200nm,此膜层作为氮氧化硅膜层与待加工件高分子材料层的界面结合层。本发明用氮氧化硅膜层作为打底层,不会偏黄,膜层小于20nm则几乎无任何色相,不会改变待加工件的颜色,膜层厚度大于20nm,
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114000104 A
(43)申请公布日 2022.02.01
(21)申请号 202111194214.3
(22)申请日 2021.10.13
(71)申请人 深圳市恒鼎新材料有限公司
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