存储单元、存储器以及数据写入方法.pdfVIP

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2023-04-24 发布于北京
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存储单元、存储器以及数据写入方法.pdf

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本申请提供一种存储单元、存储器以及数据写入方法，所述存储单元包括：自旋轨道矩提供线；至少两个尺寸不同的存储结构，所述存储结构位于所述自旋轨道矩提供线上，进行写操作时，每一所述存储结构具有不同的写电流。本申请在条自旋轨道矩提供线上设置至少两个尺寸不同的存储结构，进行写操作时，每一所述存储结构具有不同的写电流，可以通过控制电流来得到不同的存储结构组合状态，并将存储结构的状态改变成写入态对应的状态，能够大幅度提高SOT‑MRAM的存储量和单位面积上的存储密度。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114005474 A (43)申请公布日 2022.02.01 (21)申请号 202010737898.6 (22)申请日 2020.07.28 (71)申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限