光电探测器及其制作方法.pdfVIP

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2023-04-24 发布于北京
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光电探测器及其制作方法.pdf

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提供了一种光电探测器及其制作方法，所述光电探测器包括由MXene材料层和AlGaN材料层形成的MXene/AlGaN范德瓦尔斯异质结。与传统的异质结相比，MXene材料具有较高的透光率、金属导电性以及可调的功函数，所形成的范德瓦尔斯异质结不受晶格匹配的限制，缺陷极少，能够极大地提升界面质量，因此，基于所述MXene/AlGaN范德瓦尔斯异质结形成的光电探测器，不仅有利于提高光电探测器的光吸收效率和光生电流的传输效率，提高光响应度，还能有效地降低光电探测器的制造成本，为光电探测器的规模化应用提供新

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114005895 A (43)申请公布日 2022.02.01 (21)申请号 202111247579.8 H01L 31/18 (2006.01) (22)申请日 2