半导体激光装置.pdfVIP

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2023-04-24 发布于北京
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半导体激光装置.pdf

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本发明的半导体激光装置具备：作为基体材料的管座(1)；LD次基台(2)，设置有表面电极(20a、20b)，并与管座(1)的表面接合；LD芯片(4)，配置于表面电极(20a)，并与表面电极(20b)连接；以及引线(3a、3b)，经由设置于LD次基台(2)的通孔(2c、2d)内的埋入层(21a、21b)而与表面电极(20a、20b)电连接，并通过封接部件(10a、10b)固定于设置于管座(1)的孔(1a、1b)，在管座(1)与LD次基台(2)的接合面侧的、封接部(10a、10b)或LD次基台(2)的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114026752 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 201980097904.1 (51)Int.Cl.