半导体装置及其制造方法.pdfVIP

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2023-04-24 发布于北京
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半导体装置及其制造方法.pdf

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本发明提供一种半导体装置的制造方法，其将工作时发热的半导体元件形成于半导体基板的有源区域，将检测温度的感温二极管传感器形成于所述半导体基板的感温二极管区域。制造方法包含：在所述感温二极管区域形成用于构成所述感温二极管传感器的多晶硅层的工序；形成掩模的工序；经由所述掩模向所述半导体基板和所述多晶硅层导入杂质的工序。所述掩模具有：元件图案，其具有使在所述有源区域中构成所述半导体元件的区域露出的元件开口；二极管图案，其具有使所述感温二极管区域的一部分露出的二极管开口；监测图案，其设置在所述二极管图案内

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114008796 A (43)申请公布日 2022.02.01 (21)申请号 202080045359.4 (74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限