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本发明提供了一种栅间氧化层的形成方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有图案化的掩模层，衬底中形成有若干沟槽；对所述图案化的掩模层执行回拉工艺，以扩大所述图案化的掩模层的开口的尺寸；形成屏蔽栅结构及栅间氧化层材料；对栅间氧化层材料执行干法蚀刻工艺且干法蚀刻的蚀刻深度占预设蚀刻深度的50％～90％；对栅间氧化层材料执行湿法蚀刻工艺至与预设蚀刻深度，形成栅间氧化层。本发明中，利用干法蚀刻对栅间氧化层材料的膜层质量相对不敏感使得蚀刻栅间氧化层材料的表面较为平坦，再湿法蚀刻栅间氧化层材料至预设蚀刻深度，利用
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114068687 A
(43)申请公布日 2022.02.18
(21)申请号 202111422193.6
(22)申请日 2021.11.26
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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