栅间氧化层的形成方法及屏蔽栅沟槽型器件的形成方法.pdfVIP

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2023-04-25 发布于北京
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栅间氧化层的形成方法及屏蔽栅沟槽型器件的形成方法.pdf

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本发明提供了一种栅间氧化层的形成方法，包括：提供一衬底，衬底中形成有至少一沟槽，沟槽的底部形成有屏蔽栅结构；至少执行一次沉积蚀刻工艺循环以形成第一栅间氧化层，其中，一次沉积蚀刻工艺循环包括：执行一次沉积工艺以形成预定厚度的第一栅间氧化层材料；以及，执行一次湿法蚀刻工艺以去除一部分第一栅间氧化层材料；形成第二栅间氧化层，覆盖第一栅间氧化层并填充沟槽；以及，蚀刻以在沟槽中形成栅间氧化层。本发明中，通过形成第一栅间氧化层材料，再利用湿法蚀刻去除部分第一栅间氧化层材料，使得其收口打开并去除其表面膜层质量

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114068688 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202111424328.2 (22)申请日 2021.11.26 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司