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本发明涉及微电子器件及神经网络深度学习领域,具体涉及一种基于CNN网络(卷积神经网络,ConvolutionalNeuralNetworks)的碳化硅二极管击穿电压的预测方法,包括以下步骤:步骤S1,获取CNN网络的训练集、交叉验证集和测试集;步骤S2,建立CNN网络,并进行训练、验证和测试,得到训练后的CNN网络;步骤S3,将要预测的碳化硅二极管的漂移区掺杂浓度、结峰值浓度和场限环个数输入CNN网络中,预测该碳化硅二极管的击穿电压。本发明使用CNN网络快速且便捷地预测出碳化硅二极管的击穿电
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114066005 A
(43)申请公布日 2022.02.18
(21)申请号 202111171616.1
(22)申请日 2021.10.08
(71)申请人 西安电子科技大学
地址
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