一种半导体纳米材料及其制备方法与应用.pdfVIP

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2023-04-25 发布于北京
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一种半导体纳米材料及其制备方法与应用.pdf

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本申请公开了一种半导体纳米材料及其制备方法与应用。所述半导体纳米材料选自具有如式I所示化学式的物质中的任一种；MO·xMQ2O4式I；其中，所述M选自二价过渡金属元素中的任一种；所述Q选自VIII族元素中的任一种；所述x表示MQ2O4与MO含量的摩尔比，所述x的取值范围为1～2.5；所述半导体纳米材料为含有异型异质结的两相多晶结构。所述半导体纳米材料在紫外/可见/近红外区均有较强的光吸收，同时光电转化效率高，具有较好的光催化性能。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114054025 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202111223279.6 B01J 23/80 (2006.01)