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本发明公开了一种铜合金薄膜、基于铜合金薄膜服役后的保护层和制备方法,该铜合金薄膜为二元合金,包括铜元素以及可以与铜形成正混合熵的添加元素;铜元素的质量百分含量为95~99wt%;通过先在基底上形成具有正混合焓的铜合金薄膜;然后对铜合金薄膜施加能量场,使其中的添加元素析出并在铜薄膜表面形成保护层。本发明采取具有正的混合焓的铜合金薄膜,通过压差的作用导致合金中的添加元素向表面运动,最终使添加元素覆盖在铜上,抑制了金属铜的电化学迁移,提高铜线路板对电化学迁移的抵抗能力,整体制备方法可以一次形成双元素镀
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 114058897 B
(45)授权公告日 2022.05.17
(21)申请号 202111412832.0 C22C 9/06 (2006.01)
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