浮栅存储器及其制备方法.pdfVIP

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2023-04-25 发布于四川
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浮栅存储器及其制备方法.pdf

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本发明提供了一种浮栅存储器，包括衬底、绝缘介质层、栅极、阻挡层、栅极接触材料层、浮栅层、隧穿层、沟道层、隔离绝缘介质层、源极和漏极，在所述沟道层背向所述隧穿层的一面的部分形成隔离绝缘介质层，避免了所述沟道层被空气氧化，进而提升了所述浮栅存储器的可靠性，所述阻挡层、所述浮栅层、所述隧穿层、所述沟道层和所述隔离绝缘介质层的材料为二维材料，能够利用二维材料无悬挂键的优势，减小界面缺陷，降低了所述浮栅存储器的阈值电压，进而降低所述浮栅存储器的功耗，所述沟道层的材料为二维材料有助于所述沟道层中的电荷被所述

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114068564 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202111349510.6 (22)申请日 2021.11.15 (71)申请人上海集成电路制造创新中心有限公