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2023-04-25 发布于北京
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半导体封装件.pdf

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本申请的实施例提供一种形成半导体封装件的方法，包括：将介电层形成在第一金属环上，第一金属环具有第一开口；将第二金属环形成在介电层上，第二金属环具有第二开口，第二开口的直径大于第一开口的直径；将第一金属环、介电层和第二金属环放置在衬底上；去除位于第二开口下方的介电层以由第二开口、第一开口暴露衬底；形成位于第一开口和第二开口中的内部通孔，内部通孔电连接衬底。针对相关技术中存在的问题，本发明的目的在于提供半导体封装件及其形成方法，以至少实现提高半导体封装件的良率。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114068458 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202111191803.6 (22)申请日 2021.10.13 (71)申请人日月光半导体制造股份有限公司