采用外延层阱工艺方案的SiC MOSFET器件.pdfVIP

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2023-04-25 发布于四川
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采用外延层阱工艺方案的SiC MOSFET器件.pdf

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本发明公开了一种采用外延层阱工艺方案的SiCMOSFET器件，与传统的离子注入形成阱区的工艺相比，掺杂杂质分布的均匀性大大提升，因而进一步带来器件特性上的提高，突出表现在更好的开启电压均匀性，更好的导电通道电阻值的稳定性、可重复性，更低的沟道区噪声，等等，故此本发明方案的采用，就成为了SiCMOS器件生产制造中产品良率，片内片间的均匀性、可重复性等，本发明的有益效果为，采用外延的方式得到器件的基本结构，即阱区，因为阱区掺杂杂质的分布的均匀性得到了提升和保证，对于器件的正向和反向特性就都带来了

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114068720 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202111225386.2 (22)申请日 2021.10.21 (71)申请人上海芯石半导体股份有限公司