基于NbSe2-金属多层结构的电控偏振调制器.pdfVIP

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2023-04-25 发布于北京
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基于NbSe2-金属多层结构的电控偏振调制器.pdf

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本发明公开了基于NbSe2‑金属多层结构的电控偏振调制器。包括衬底、设置于衬底上的NbSe2薄膜层、设置于NbSe2薄膜层上端面的第一电极对以及设置于衬底下端面的第二电极对；NbSe2薄膜层由多层NbSe2薄膜层叠组成；第一电极对由第一电极及第二电极组成，第一电极与第二电极组合形成金属环形电极；第二电极对由第三电极及第四电极组成，第三电极与第四电极组合形成金属环形电极；第一电极对及第二电极对上施加电压进行电控对电磁波进行主动调制。上述的电控偏振调制器，基于NbSe2薄膜层制备得到电控偏振调制器，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114035346 A (43)申请公布日 2022.02.11 (21)申请号 202111527705.5 (22)申请日 2021.12.14 (71)申请人深圳大学地址 51