一种高均匀性二氧化硅薄膜的制备方法.pdfVIP

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2023-04-25 发布于四川
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一种高均匀性二氧化硅薄膜的制备方法.pdf

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本发明公开了一种基于等离子增强化学气相淀积(PECVD)制备高均匀性二氧化硅薄膜的方法，包括：以硅片或石英片作为基板置于NMP清洗液中进行清洗，再使用去离子水超声清洗5分钟，通入N2吹干；使用等离子体清洗机对基板进行清洁；将基板置于真空室，通入N2和N2O进行预热；在完成预热的真空室中通入SiH4、N2与N2O，采用高于100W的射频功率起辉,在基板上淀积二氧化硅薄膜。本方案主要步骤简单，只使用一种功率源，操作简便，完成二氧化硅薄膜的淀积后无需后处理，普适性强，同时,淀积的二氧化硅薄膜更加致密,

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114068306 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202111326925.1 C23C 16/40 (2006.01)