相变存储器及其制造方法.pdfVIP

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本发明提供了一种相变存储器及其制造方法,相变存储器包括:相变存储单元,相变存储单元包括沿纵向堆叠的相变材料层和n个选通器,n个选通器中至少有两个选通器的阈值电流不同。相变存储单元两端的字线和位线之间施加电压后,n个选通器按阈值电流从小到大的顺序先后开启导通,最小阈值电流的选通器最先开启导通;最先开启的选通器两端的电压降低,浪涌电流大大降低。n个选通器均开启后,相变存储单元的串连回路中以最小阈值电流运行,相变存储器的整体浪涌电流降低。本实施例n个选通器不在同一时刻开启,浪涌电流大大降低,有更好的抗

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114068616 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202111386891.5 (22)申请日 2021.11.22 (71)申请人 长江先进存储产业创新中心有限责

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