一种三维存储器及其制作方法.pdfVIP

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2023-04-25 发布于北京
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一种三维存储器及其制作方法.pdf

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本发明提供了一种三维存储器及其制作方法，包括：提供衬底，衬底上具有第一连接层和第一牺牲层；对第一牺牲层进行刻蚀形成第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽位于待形成栅极隙区域的一侧，第二凹槽位于待形成栅极隙区域的另一侧，且第一凹槽和第二凹槽在垂直于待形成栅极隙区域的延伸方向的方向上交错排布；在第一牺牲层上形成第二连接层，第二连接层填满第一凹槽和第二凹槽，在第一凹槽内形成第一连接结构、在第二凹槽内形成第二连接结构，第二连接层的材料与第一牺牲层的材料不同。由于第一连接结构和第二连接结构可以对其顶部的堆叠结构进行

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114068572 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202111355324.3 (22)申请日 2021.01.04 (62)分案原申请数据 2021100