超结沟槽栅MOSFET及制造方法.pdfVIP

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2023-04-25 发布于北京
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超结沟槽栅MOSFET及制造方法.pdf

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本发明提供一种超结沟槽栅MOSFET及制造方法，其中制造方法包括以下步骤：设置用于制作柱体区的薄阻挡层，薄阻挡层的厚度小于4um；通过高能量杂质离子注入形成柱体区，其中部分高能量杂质离子打穿薄阻挡层进入体区成为体区的杂质离子的一部分，柱体区的至少一部分处于体区的下方。本发明通过减薄高能量P‑Pillar注入时光刻胶的厚度，使得深宽比减小，降低光刻工艺的难度。并且，其中部分P型杂质离子打穿阻挡层，使P‑Pillar成为P型体区杂质离子一部分，因此通过减小P型阱注入的剂量，最终可实现与现有工艺相同的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114068673 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202111304524.6 (22)申请日 2021.11.05 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司