一种双极分裂栅增强型功率晶体管.pdfVIP

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2023-04-25 发布于四川
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一种双极分裂栅增强型功率晶体管.pdf

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本发明公开一种双极分裂栅增强型功率晶体管，包括衬底层、漂移区、有源层、槽栅以及器件顶层；所述衬底层位于双极分裂栅增强型功率晶体管底部，所述衬底层上表面一部分与漂移区连接，所述衬底层上表面另一部分与槽栅连接；所述漂移区上表面与有源层连接；所述有源层上表面与器件顶层连接。本发明通过在ATLAS模拟器中执行二维数值模拟，证明了BiSGE结构降低了导通电阻、IDS‑VDS和品质因数特性，与SGE相比，不会影响断态击穿电压。UIS测试结果表明，BiSGE晶体管的耐用性可与SGEUMOS相媲美。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114068675 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202111356834.2 (22)申请日 2021.11.16 (71)申请人大连海事大学地址