CS共掺杂WS2电子结构研究.docx

C/S共掺杂WS2电子结构研究 PAGE IV 摘 要 本论文利用基于密度泛函理论的第一性原理方法对对不同位置 C单掺杂WS2超晶胞, 不同浓度C原子掺杂WS2 ,C-S共掺杂WS2的能带结构、态密度进行了第一性原理计算研究。不同位置的C掺杂对能带和态密度几乎不会产生影响，他们的禁带宽度都是0.475eV，但掺杂C原子之后与本征 WS2 禁带宽度相比减小了，掺杂体系的禁带宽度呈现出了减小的趋势。禁带宽度减小，价带电子跃迁至导带所需要的激发能减小，激发跃迁光波的范围拓宽，有利于其在光催化领域的应用。 关键词：第一性原理；共掺杂；单掺杂；WS2  ABSTRACT In?this?p