一种适用于高速存储器电路的ESD静电保护结构.pdfVIP

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2023-04-25 发布于北京
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一种适用于高速存储器电路的ESD静电保护结构.pdf

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本发明公开一种适用于高速存储器电路的ESD静电保护结构，属于集成电路领域。所述ESD静电保护结构整体位于独立的深N阱中，且与P型衬底无直接接触；所述深N阱将ESD器件与所述P型衬底隔离开，使每个ESD静电保护结构相互独立；所述深N阱外围边缘一圈有N阱环，所述N阱环通过阱接触N+接至电源，为所述深N阱提供电位；所述N阱环的外围环绕一圈P型衬底接触环作为隔离，所述P型衬底接触环接地。所述ESD静电保护结构对电源、对地都有快速的ESD电流泄放通路，给端口信号带来的寄生效应小，整个ESD保护结构所占面积

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114068523 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202111370643.1 (22)申请日 2021.11.18 (71)申请人中国电子科技集团公司第五十八研