碳化硅晶圆体寿命图像生成方法、系统及存储介质.pdfVIP

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2023-04-25 发布于北京
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碳化硅晶圆体寿命图像生成方法、系统及存储介质.pdf

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本发明提供了一种碳化硅晶圆体寿命生成方法、系统及存储介质，涉及碳化硅的技术领域，利用光致发光成像仪器获得碳化硅晶圆的PL图像，再利用少数载流子连续性方程、碳化硅晶圆前表面复合速率方程、碳化硅晶圆后表面复合速率方程、以及PL信号强度方程，通过计算机数值计算解偏微分方程得到碳化硅晶圆体寿命与PL信号强度的函数关系，再根据所述函数关系与所述PL图像得到碳化硅晶圆的体寿命图像。本发明通过光致发光成像仪器，相比微波成像的方法速度更快，同时可直接获得碳化硅晶圆的体寿命图像，而不是等效少数载流子寿命图像，表征

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114062371 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202111347397.8 (22)申请日 2021.11.15 (71)申请人浙江