一种基于晶相改进的CdSnO3纳米半导体敏感材料的丙酮气体传感器及其制备方法.pdfVIP

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2023-04-25 发布于四川
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一种基于晶相改进的CdSnO3纳米半导体敏感材料的丙酮气体传感器及其制备方法.pdf

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一种基于晶相改进的CdSnO3纳米半导体敏感材料的丙酮气体传感器及其制备方法，属于气体传感器技术领域。其由带有金电极的陶瓷管衬底，涂覆在陶瓷管外表面和金电极上的经过晶相改进的CdSnO3纳米半导体敏感材料和置于陶瓷管内的镍铬加热线圈组成。本发明开发出了具有较高响应值、较快的响应时间和恢复时间、以及较低空气基线电阻的高性能的丙酮气体传感器，检测下限可以达到0.5ppm，响应/恢复时间为1s/10s。另外在最佳工作温度下，传感器的电阻低至6.4kohm，便于集成，在环境监测方面具有良好的应用前景。本

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114062446 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202111488928.5 (22)申请日 2021.12.08 (71)申请人吉林大学地址 13