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2023-04-26 发布于北京
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多电压域装置.pdf

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一种多电压域装置包括半导体层，该半导体层包括：第一主表面；与第一主表面相对布置的第二主表面；包括在第一电压域中工作的第一电路的第一区域；包括在不同于第一电压域的第二电压域中工作的第二电路的第二区域；以及在平行于第一主表面和第二主表面延伸的横向方向上将第一区域与第二区域电隔离的隔离区域。隔离区域包括至少一个深沟槽隔离阻挡，每个深沟槽隔离阻挡从第一主表面垂直延伸至第二主表面。多电压域装置还包括至少一个第一电容器，其被配置成产生横跨第一区域与第二区域之间的隔离区域的电场。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114078885 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202110913946.7 H01L 21/762 (2006.01) (22)申请日