用于加工半导体晶体管的方法.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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用于加工半导体晶体管的方法.pdf

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提供拥有漏极场板(140)的高电子迁移率晶体管。漏极场板(140)形成在高电子迁移率晶体管的栅极(118)与漏极(104)之间的区域内。漏极场板(140)包含具有投影区域大于漏极垫(104)的金属垫。漏极场板(140)与设置在漏极场板之下的半导体层(102)形成金属‑半导体(M‑S)肖特基结构。M‑S肖特基结构的电容在半导体区域(102)产生电容，提高高电子迁移率晶体管的晶体管构件的击穿电压。可移除在有源区(203)下的衬底(100)部分，从而提高高电子迁移率晶体管的晶体管构件的热传导性及降低结

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114093939 A (43)申请公布日 2022.02.25 (21)申请号 202111392488.3 H01L 21/335 (2006.01)