存储器器件、存储器阵列及其形成方法.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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存储器器件、存储器阵列及其形成方法.pdf

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本公开涉及一种存储器器件、存储器阵列及其形成方法。可以提供一种存储器器件。该存储器器件可以包括衬底，其中衬底包括具有第一导电类型的阱。该存储器器件还可以包括：接触元件，其布置在阱中并且包括具有第一导电类型的第一接触；二极管层，其布置在阱中并且具有与第一导电类型相反的第二导电类型；以及虚设栅极，其被配置为将第一接触与二极管层隔离。该存储器器件还可以包括电连接到二极管层的存储器元件。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114079007 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202110942687.0 (22)申请日 2021.08.17 (30)优先权数据 16/994746