存储器结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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存储器结构及其形成方法.pdf

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本发明涉及一种存储器结构及其形成方法，所述存储器结构包括：第一基底，包括：衬底层和存储层，所述衬底层具有相对的第一表面和第二表面，所述存储层位于所述衬底层的第一表面上，所述第一基底包括焊垫区域；介质层，位于所述衬底层的第二表面上；焊垫，位于所述焊垫区域上的介质层表面；隔离结构，贯穿所述衬底层，且位于所述焊垫下方的衬底层被所述隔离结构包围，以用于隔离所述焊垫下方的衬底层与所述隔离结构外围的衬底层。本发明的存储器结构中焊垫与衬底层之间的寄生电容被减小，有利于提高存储器性能。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114078954 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202111243473.0 H01L 27/11556 (2017.01)