二维半导体电致发光装置及其制备方法.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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二维半导体电致发光装置及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种二维半导体电致发光装置及其制备方法，所述二维半导体电致发光装置包括：衬底，衬底包括第一主表面；电极层，电极层设在第一主表面上，电极层包括多个第一电极体和多个第二电极体，多个第一电极体沿衬底的横向间隔布置，多个第二电极体沿衬底的横向间隔布置，多个第一电极体和多个第二电极体沿衬底的横向交错布置，相邻的第一电极体和第二电极体在衬底的横向上间隔开，第一电极体和第二电极体的极性相反；二维半导体层，二维半导体层设在电极层在衬底的厚度方向上远离衬底的一侧；介电层，介电层的至少部分在衬底的厚度方

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114096028 A (43)申请公布日 2022.02.25 (21)申请号 202111322090.2 (22)申请日 2021.11.09 (71)申请人清华大学地址 10