一种改善深沟道隔离槽填充效果的方法.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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一种改善深沟道隔离槽填充效果的方法.pdf

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本发明提供一种改善深沟道隔离槽填充效果的方法，包括：步骤1：单面抛光硅片，氧化生成氧化硅垫层；步骤2：在硅片上依次沉积氮化硅层、氧化硅层；步骤3：光刻，形成图形化窗口；步骤4：干蚀刻，形成氧化硅沟槽，之后去除氧化硅层表面的光刻胶；步骤5：干蚀刻，形成硅深沟槽；步骤6：湿蚀刻，蚀刻硅深沟槽的开口处的氮化硅层；步骤7：对步骤6处理后的硅深沟槽进行后处理。本发明的方法在硅深沟槽蚀刻前去除了氧化硅硬掩模底部开口处的氮化硅，方便蚀刻出利于填充二氧化硅的硅深沟槽；还在硅深沟槽蚀刻后先后去除了开口处残留氮化硅

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114078739 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202010838759.2 (22)申请日 2020.08.19 (71)申请人和舰芯片制造（苏州）股份有限公司