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本发明公开一种利用缓坡状背面进行IGBT晶圆加工的方法，包括以下步骤：S1、完成晶圆正面金属制程前的工艺；S2、蚀刻晶圆背面形成缓坡；S3、完成晶圆背面制程；S4、背面涂布聚酰亚胺；S5、制作正面金属制程；S6、正面涂布聚酰亚胺，通过显影、固化、蚀刻后裸露出切割道；S7、通过蚀刻、激光完成切割，除去正面的聚酰亚胺；S8、贴附在切割模框上，除去背面聚酰亚胺，使晶粒分离。本发明在晶圆背面做缓坡状处理可以在边缘提供应力支撑，克服了背面回火温度的限制，同时本发明晶圆背面涂布聚酰亚胺，可以缓冲金属厚膜应力
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114093816 A
(43)申请公布日 2022.02.25
(21)申请号 202111342268.X
(22)申请日 2021.11.12
(71)申请人 绍兴同芯成集成电路有限公司
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