一种半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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一种半导体器件及其制造方法.pdf

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本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体制造技术领域，以解决在去除位于沟道区之间、以及沟道区与半导体衬底之间的牺牲层的过程中，损伤到源/漏区，降低半导体器件性能的技术问题。所述半导体器件包括：半导体衬底、有源区、栅堆叠和侧墙。有源区位于半导体衬底上，有源区包括沟道区、以及位于沟道区两侧的源/漏区。至少位于沟道区的侧壁的栅堆叠，以及位于栅堆叠两侧的侧墙。其中，沿着远离沟道区中心的方向，源/漏区的材料与沟道区的材料之间的刻蚀选择比逐渐增大。本发明还提供了一种半导体器件的制造方法。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114093943 A (43)申请公布日 2022.02.25 (21)申请号 202010857806.8 (22)申请日 2020.08.24 (71)申请人中国