形成半导体装置的方法.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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形成半导体装置的方法.pdf

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本申请涉及形成半导体装置的方法。一种方法，包含形成第一构件，所述第一构件具有其中包含多个存储电容器的第一部分和围绕所述第一部分的第二部分；形成具有第三部分和围绕所述第三部分的第四部分的凹形的第二构件，所述第三部分对应于所述凹形的下顶表面，所述第三部分在其中包含对应于所述多个存储电容器设置的多个存取晶体管，所述第四部分对应于所述凹形的上顶表面；将所述第一构件堆叠在所述第二构件上以物理地连接所述第二部分和所述第四部分，并且在所述第一部分和所述第三部分之间具有间隙；切割所述第一构件以将所述第一部分与所

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114078782 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202110652980.3 (22)申请日 2021.06.11 (30)优先权数据 16/996,52