用于生产超结器件的方法.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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用于生产超结器件的方法.pdf

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公开了一种生产半导体器件的方法，该方法包括：以一个在另一个上方的方式形成多个半导体装置，其中形成多个半导体装置中的每一个包括：形成半导体层(100i、100i+1)；在半导体层(100i、100i+1)的第一表面(11i、11i+1)中形成多个沟槽(12i、12i+1)；以及将第一类型和第二类型中的至少一种的掺杂剂原子注入到多个沟槽(12i、12i+1)中的每一个的第一侧壁(14i、14i+1)和第二侧壁(15i、15i+1)中的至少一个中。形成多个半导体装置中的至少一个还包括：形成保护层(16

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114078767 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202110917363.1 (22)申请日 20