基于CMOS工艺的红外探测器.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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基于CMOS工艺的红外探测器.pdf

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本公开涉及基于CMOS工艺的红外探测器，包括像元，像元包括：CMOS测量电路系统和在其上直接制备的CMOS红外传感结构，二者均采用CMOS工艺制备；CMOS红外传感结构包括反射层、红外转换结构和多个柱状结构，柱状结构包括叠加设置的至少两层立柱，位于反射层和红外转换结构之间，反射层包括反射板和支撑底座，红外转换结构通过柱状结构和支撑底座与CMOS测量电路系统电连接；红外转换结构包括吸收板和多个梁结构，吸收板通过对应的梁结构与柱状结构电连接；至少两个红外探测器像元共用至少一个柱状结构；红外探测器像元

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114088209 A (43)申请公布日 2022.02.25 (21)申请号 202110324078.9 (22)申请日 2021.03.26 (71)申请人北京北方高业科技有限公司