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2023-04-26 发布于北京
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半导体器件.pdf

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一种半导体器件包括：第一有源图案和第二有源图案，设置在衬底上；场绝缘膜，设置在第一有源图案和第二有源图案之间；与第一有源图案交叉的第一栅极结构；以及与第二有源图案交叉的第二栅极结构，其中第一栅极结构包括在第一有源图案上的第一栅极绝缘膜、在第一栅极绝缘膜上的第一上插入膜以及在第一上插入膜上的第一上导电膜，第二栅极结构包括在第二有源图案上的第二栅极绝缘膜、在第二栅极绝缘膜上的第二上插入膜以及在第二上插入膜上的第二上导电膜。第一上插入膜和第二上插入膜中的每个可以包括铝氮化物膜。第一上导电膜和第二上导电

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114078844 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202110953205.1 (22)申请日 2021.08.19 (30)优先权数据 10-2020-0