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本发明提供一种半导体工艺设备,包括:工艺腔室,具有工艺腔,工艺腔包括用于生成等离子体的发生腔和用于处理晶圆的加工腔;过滤结构及直流电源,过滤结构包括第一过滤部,第一过滤部设置在发生腔与加工腔之间,且具有用于连通发生腔和加工腔的多个第一通孔,第一过滤部由导电材料制成,直流电源与第一过滤部电连接,且通过直流电源向第一过滤部上施加负电压,当等离子体经过第一过滤部时,通过多个第一通孔对等离子体进行过滤,且在负电压的作用下等离子体中的至少部分离子发生复合,以降低过滤后进入加工腔的等离子体中的离子数目。上述
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114078685 A
(43)申请公布日 2022.02.22
(21)申请号 202111362116.6
(22)申请日 2021.11.17
(71)申请人 北京北方华创微电子装备有限公司
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