半导体器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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半导体器件及其制备方法.pdf

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本发明提供一种半导体器件及其制备方法，制备方法包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有多个彼此独立的沟槽；等离子体注入，在相邻沟槽之间形成阻挡层；在所述沟槽内形成栅极结构；在所述半导体衬底内形成沟道区，所述沟道区与所述沟槽对应；在所述沟槽与所述阻挡层之间，形成源漏区，所述源漏区与所述沟道区电连接，所述阻挡层的导电类型与所述源漏区的导电类型相反。本发明优点是，无需形成浅沟槽隔离结构，通过等离子体注入形成的阻挡层作为相邻晶体管的源漏区的隔离层，由于源漏区与阻挡层注入的是反型离子，因此在源

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114078764 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202010848727.0 (22)申请日 2020.08.21 (71)申请人长鑫存储技术有限公司