一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的制造方法.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的制造方法.pdf

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本发明涉及一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的制造方法，该方法是在沟槽形成、第一氧化硅层形成以及屏蔽栅形成后，先在沟槽内、沟槽侧壁以及基体表面形成第二氧化硅层，然后通过三次CMP工艺去除基体表面氧化硅层，即：先采用CMP工艺去除基体表面大部分的氧化硅层，再采用对氧化硅层和基体高选择比的研磨液进行CMP工艺去除基体表面剩余的氧化硅层，然后采用对氧化硅层和基体低选择比的研磨液进行CMP工艺去除基体表面损伤层；去除沟槽内屏蔽栅顶部多余的第二氧化硅层后，在沟槽内形成栅极。本发明采用无ONO的结构，简化了工艺环

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114093759 A (43)申请公布日 2022.02.25 (21)申请号 202011595840.9 (22)申请日 2020.12.30 (71)申请人绍兴中芯集成电路制造股份有限公