嵌入数控衰减器的高隔离开关电路结构.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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嵌入数控衰减器的高隔离开关电路结构.pdf

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本发明涉及一种嵌入数控衰减器的高隔离开关电路结构，包括数控衰减器、第一SPDT开关、第二SPDT开关、第三SPDT开关、第四SPDT开关、第五SPDT开关、第一固定值衰减器、第二固定值衰减器和第三固定值衰减器，所述的数控衰减器与信号输入接口相连，所述的第一SPDT开关的一端与数控衰减器相连，所述的第三SPDT开关的一端与信号输出接口相连，所述的第一固定值衰减器的一端与第四SPDT开关相连，所述的第三固定值衰减器的一端与第五SPDT开关相连。采用了本发明的嵌入数控衰减器的高隔离开关电路结构，减少前

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114094983 A (43)申请公布日 2022.02.25 (21)申请号 202111422208.9 (22)申请日 2021.11.26 (71)申请人上海创远仪器技术股份有限公司