半导体元件及其制备方法.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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半导体元件及其制备方法.pdf

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本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底、一介电层、一栓塞以及一导电聚合物的着陆垫；该介电层设置在该基底上；该栓塞设置在该介电层中；该导电聚合物的着陆垫设置在该介电层上。该方法包括：提供一基底；形成具有一栓塞的一介电层在该基底上；执行一蚀刻制程，以移除该介电层的一部分，进而暴露该栓塞的一突出部；形成一导电聚合物层，以覆盖介电层与该突出部；以及执行一热处理，以自对准方法形成一着陆垫在该介电层上。导电聚合物的该着陆垫包括该栓塞的一突出部、一第一硅化物层以及一第二硅化物

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114078821 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202110703436.7 (22)申请日 2021.06.24 (30)优先权数据 16/992,98