半导体器件及其制作方法.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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半导体器件及其制作方法.pdf

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本公开实施例公开了一种半导体器件的制作方法，包括以下步骤：提供半导体结构，半导体结构包括由第一材料层和第二材料层交替堆叠的堆叠结构，堆叠结构包括平台区和与平台区相邻的台阶区，平台区和台阶区的顶部为第二材料层；形成覆盖平台区上表面和台阶区表面的第三材料层；形成填充台阶区且覆盖平台区的第四材料层；去除平台区上的第三材料层和第四材料层，且保留位于平台区上靠近台阶区的边缘的第三材料层和第四材料层；进行第一次平坦化，第一次平坦化去除凸起的第四材料层，且停留在平台区上表面的第二材料层和第三材料层。该制作方法

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114093884 A (43)申请公布日 2022.02.25 (21)申请号 202111269165.5 H01L 27/11524 (2017.01)