一种自对准接触结构的SGT MOS器件的制造方法.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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一种自对准接触结构的SGT MOS器件的制造方法.pdf

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本发明揭示了一种SGTMOS器件的制造方法，包括：在硅衬底上生长外延层并形成若干元胞沟槽，并形成第一氧化层、屏蔽栅和栅极沟槽；于栅极沟槽底部形成第二氧化层，栅极沟槽内壁形成第三氧化层，并在第二氧化层和第三氧化层上淀积栅极多晶硅，利用第二氧化层隔离栅极多晶硅；于元胞区的外延层上形成体区和源区；在外延层的表面淀积绝缘介质层，蚀刻形成接触孔；于元胞区顶层形成源极和栅极，于底层形成漏极，屏蔽栅、体区和源区和源极金属相连。本发明通过将体区和源极的接触转移到硅片表面，不需要在沟槽之间的硅片上刻蚀接触孔，取

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114093767 A (43)申请公布日 2022.02.25 (21)申请号 202110856430.3 (22)申请日 2021.07.28 (71)申请人上海晶岳电子有限公司