一种有源区结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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一种有源区结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器.pdf

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本申请提供了一种有源区结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器，所述方法包括：提供衬底；在衬底表面形成初始半导体结构；初始半导体结构包括有源线；在初始半导体结构上沉积第一阻挡层；刻蚀第一阻挡层，形成沿第一方向延伸的第一沟槽；刻蚀第一阻挡层，形成沿第二方向延伸的第二沟槽；第一沟槽与第二沟槽交叠区域形成刻蚀孔，刻蚀孔的深度大于第一沟槽与第二沟槽的深度；以刻蚀孔为掩膜，刻蚀有源线，形成分立的有源区掩膜。本申请能够提高有源区的局部关键尺寸均匀性，改善半导体器件的电性能。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114093820 A (43)申请公布日 2022.02.25 (21)申请号 202111282772.5 (22)申请日 2021.11.01 (71)申请人长鑫存储技术有限公司